理想表面の追求と先進材料加工のトータルソリューションを提供Pursuing Ideal Surfaces and Providing Total Solutionsfor Advanced Material Processing
PRODUCT MACHINING RESULTS加工実績
測量器用ガラスGlass for surveying instruments
石英研磨基板Polished Silica glass substrate
光学用セルThe cell for optics
100μmガラス基板Glass substrate [Thickness:100um]
PRODUCT MACHINING RESULTS加工実績
LT／LN基板LiTaO3／LiNbO3 substrate
サファイア基板Sapphire wafer
SiC基板SiC wafer
GaN基板GaN wafer
技術サービスのご提供
各種資材の受託評価・研究、加工コンサルティング、 関連装置販売をお受けします。 研磨加工に関するトータルソリューションをご提供致します。
ニュースリリース
夏季休業のお知らせ
2025.07.08 リリース
平素は格別のご高配を賜り、厚く御礼申し上げます。誠に勝手ながら、下記の期間を夏季休業とさせていただきます。 ■夏季休業日2025……
「SiC,GaN加工技術展 2025」出展のお知らせ
2025.03.04 リリース
先進パワー半導体ウエハ加工に携わる技術者、技能者、また先進パワー半導体の研究者、さらにそれらを学ぼうとする人たちのための展示会……
2025年年頭所感
2025.01.06 リリース
2025年の年頭にあたり、謹んで新年のご挨拶を申し上げます。 今年は巳年ということで、蛇が持つ知恵や変化への適応力を象徴とし、私……
年末年始のお知らせ
2024.12.06 リリース
拝啓 師走の候、ますますご健勝のこととお喜び申し上げます。平素は格別のご高配を賜り、厚くお礼申し上げます。 さて、株式会社斉藤光……
技術ブログ
SiC半導体基板加工における「原子間力顕微鏡を用いた極微小除去加工」とは？潜傷発生限界の調査についても徹底解説
2025.07.14 技術顧問コラム「研磨のイロハ」
SiC半導体基板の加工においては極微小の傷や潜傷※など、表面及び表面近傍にわずかに残留する加工ダメージが、その後のエピ工程やデバイス工……
SiCウエハプロセスにおける異常傷の発生メカニズムと対策について実験結果を元に解説
2025.06.03 技術顧問コラム「研磨のイロハ」
近年、次世代パワーデバイスとして注目を集めているSiC（炭化ケイ素）は、その高い耐圧性や熱伝導性により、電力変換効率の向上に大きく貢献……
【応用編】SiCの電気化学機械研磨「ECMP法」とは？加工原理と特性について徹底解説
2025.05.26 技術顧問コラム「研磨のイロハ」
SiCは非常に硬く、熱にも強く、化学的にも極めて安定な材料です。そのため、そのままでは仕上研磨に非常に時間がかかるため、強力な酸化剤で……
【応用編】SiCウエハ加工の最終工程「CMP技術」とは？現在の技術から将来性まで徹底解説
2025.04.10 技術顧問コラム「研磨のイロハ」
今回は、SiCウエハ加工の最終工程となる「CMP（Chemical-Mechanical Polishing）技術」について解説いたし……