理想表面の追求と先進材料加工のトータルソリューションを提供Pursuing Ideal Surfaces and Providing Total Solutionsfor Advanced Material Processing

GLASS DIVISIONガラス事業部

ガラス基板の高品位・高平坦両面加工を実現、
研磨に関する
技術開発支援を行っております。
基板厚さ100μmから研磨加工対応可能です。

PRODUCT MACHINING RESULTS加工実績

測量器用ガラス

測量器用ガラスGlass for surveying instruments

石英研磨基板

石英研磨基板Polished Silica glass substrate

光学用セル

光学用セルThe cell for optics

100μmガラス基板

100μmガラス基板Glass substrate [Thickness:100um]

ADVANCED CRYSTSL DIVISION結晶事業部

SiC、GaN、サファイア等の先端技術の試作加工~中量産、並びに評価試験をはじめ、
加工副資材の受託加工・研究等により技術開発を強力にサポートします。

PRODUCT MACHINING RESULTS加工実績

LT/LN基板

LT/LN基板LiTaO3/LiNbO3 substrate

サファイア基板

サファイア基板Sapphire wafer

SiC基板

SiC基板SiC wafer

GaN基板

GaN基板GaN wafer

技術サービスのご提供

各種資材の受託評価・研究、加工コンサルティング、 関連装置販売をお受けします。 研磨加工に関するトータルソリューションをご提供致します。

技術ブログ

研磨加工における微粒子分散の原理と理論について徹底解説!

2025.07.31 技術顧問コラム「研磨のイロハ」

固体の微粒子を液体に分散したものを「固液分散系」といいますが、今日、多くの製品あるいは製造プロセスにおいて見られます。顔料を分散させた……

SiC半導体基板加工における「原子間力顕微鏡を用いた極微小除去加工」とは?潜傷発生限界の調査についても徹底解説

2025.07.14 技術顧問コラム「研磨のイロハ」

SiC半導体基板の加工においては極微小の傷や潜傷※など、表面及び表面近傍にわずかに残留する加工ダメージが、その後のエピ工程やデバイス工……

SiCウエハプロセスにおける異常傷の発生メカニズムと対策について実験結果を元に解説

2025.06.03 技術顧問コラム「研磨のイロハ」

近年、次世代パワーデバイスとして注目を集めているSiC(炭化ケイ素)は、その高い耐圧性や熱伝導性により、電力変換効率の向上に大きく貢献……

【応用編】SiCの電気化学機械研磨「ECMP法」とは?加工原理と特性について徹底解説

2025.05.26 技術顧問コラム「研磨のイロハ」

SiCは非常に硬く、熱にも強く、化学的にも極めて安定な材料です。そのため、そのままでは仕上研磨に非常に時間がかかるため、強力な酸化剤で……

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