結晶基板の研磨加工実績（対応可能素材）
LT／LN基板LiTaO3／LiNbO3 substrate
サファイア基板Sapphire wafer
SiC基板SiC wafer
GaN基板GaN wafer
| 素材実績 | 単結晶 | Sapphire、SiC、GaN、Diamond、Si、Quartz、AlN、LiTaO3、LiNbO3、MgF2、CaF2、Ga2O3 |
|---|---|---|
| 多結晶・セラミックス | Al2O2、AlN、SiN、Zr O2、SiC、Diamond、Glass ceramics | |
| 金属 | SUS、Al、Cu、Ni、Mg、超硬合金 | |
| 樹脂 | ポリカーボネート、アクリル、エポキシ樹脂等に対応実績がございます。 |
私たちの強み～高品位結晶基板研磨～
SiC、GaN、サファイア等の先進結晶材料をはじめ、金属、樹脂まで幅広い材料に関する試作加工～中量産を行っています。
様々な分野の多様なニーズに応える高精度製品を提供するとともに、多品種・少量・小片の試作研磨加工もご対応します。
また、新開発基板の試作加工や、研磨スラリーや研磨パッドなどの加工副資材の評価・受託研究等により技術開発を強力にサポートします。
結晶基板加工で対応可能なこと
| インゴット | 原材料はご支給または弊社手配のいずれでも対応可能です。 |
|---|---|
| 外形研削・オリフラ加工 | 円筒研削にてインゴット外径を仕上げます。また、オリフラはご指定の方位、数にて付与可能です。 |
| 切断 | マルチワイヤソーを用いて低ダメージ・高精度・多数枚切り出しを行います。また、ブレードソー、バンドソー等による切断も可能です。 |
| 面取り | 砥石を用いたC面取りによりチッピングを抑制します。 |
| 両面LAP | GCまたはB4C砥粒を用いて、板厚精度および形状精度を創出します。 |
| 熱処理 | 材料に導入されたひずみを除去し、反り等を低減します。 |
| 片面CMP・両面CMP | 材料に応じたCMPスラリーを使用し、ご要望に応じ原子レベルでひずみの無い表面を創成します。 両面仕上げ、片面仕上げのどちらにも対応可能です。 |
| 洗浄・検査 | RCA洗浄をベースとし、材料に合わせた洗浄処理が可能です。乾燥はスピン乾燥、IPAベーパ乾燥に対応しております。 また、様々な専用評価装置を用いた検査も可能です。 |
結晶基板の加工プロセス
インゴット
Crystal barstock
外形研削・オリフラ加工
O.D. grinding／O.F. processing
切断
Slicing
面取り
Beveling
両面LAP
Double Side Lapping
熱処理
Annealing
片面CMP・両面CMP
Single side CMP／Double side CMP
洗浄・検査
Cleaning／inspection
ご依頼から納品までの流れ
1
お問い合わせよりご連絡ください。
材質、形状、数量、仕上がり精度、納期希望等ございましたらご記入ください。
もちろん、詳細はお打ち合わせにてご相談でも可能です。
2
ご依頼の材質に合わせ担当事業部よりご連絡致します。
3
お見積書の提出
詳細な加工仕様が確定したのち、メール等にてお見積書を提出させて頂きます。
4
ご注文
ご注文書はメールまたはFAX等にてお送りください。
5
製造
ご注文書のご発行を頂き次第、仕様に沿って加工を行わせて頂きます。
6
納品
製品は配送業者を通じて納品させて頂きます。
結晶研磨は私たちにお任せください
幅広い分野のニーズにお応えできるよう、徹底的なお打ち合わせを基に迅速かつ丁寧に対応します。
弊社が培った研磨技術を多種多様な材料の高精度研磨へ応用すべく技術開発を進めております。常に新規材料加工に挑戦しておりますので、何なりとお申し付け下さい。
また、現場にお越しいただき、加工副資材の評価や開発実験を立ち合いで実施することも可能です。
