砥粒における微粒子分散の実際とは？分散効果についても詳しく解説
2025.09.10
前回の記事「研磨加工における微粒子分散の原理と理論について徹底解説！」では、微粒子分散の原理と理論についてお話ししました。分散の原理とは、図1に示すように、一次粒子化と安定化（凝集防止）です。安定化には、電気二重層による静電反発力と、吸着層による立体障害効果が重要になります。 図1 粒子分散……
研磨加工における微粒子分散の原理と理論について徹底解説！
2025.07.31
固体の微粒子を液体に分散したものを「固液分散系」といいますが、今日、多くの製品あるいは製造プロセスにおいて見られます。顔料を分散させた塗料やインクなどはもちろんのこと、硫化物系や酸化物系電解質を分散させた全固体電池用スラリー、難溶性薬剤を高分散状態で懸濁し経口吸収性を向上させたナノ分散型ドラッグデ……
SiC半導体基板加工における「原子間力顕微鏡を用いた極微小除去加工」とは？潜傷発生限界の調査についても徹底解説
2025.07.14
SiC半導体基板の加工においては極微小の傷や潜傷※など、表面及び表面近傍にわずかに残留する加工ダメージが、その後のエピ工程やデバイス工程に悪影響を及ぼすことが分かっています。しかし、どのような傷や歪が問題になるか調査した報告はあります1)が、どの程度の力が砥粒の刃先に掛かるとSiCに傷や潜傷などの……
SiCウエハプロセスにおける異常傷の発生メカニズムと対策について実験結果を元に解説
2025.06.03
近年、次世代パワーデバイスとして注目を集めているSiC（炭化ケイ素）は、その高い耐圧性や熱伝導性により、電力変換効率の向上に大きく貢献しています。 しかし、その優れた物性とは裏腹に、ウエハ加工・製造プロセスにおいては、他の半導体材料に比べて取り扱いが非常に難しい状況です。特に「異常傷」と呼ば……
【応用編】SiCの電気化学機械研磨「ECMP法」とは？加工原理と特性について徹底解説
2025.05.26
SiCは非常に硬く、熱にも強く、化学的にも極めて安定な材料です。そのため、そのままでは仕上研磨に非常に時間がかかるため、強力な酸化剤で表面を酸化させながら研磨する化学機械研磨（CMP）法で行うことが主流となっています。 しかし、強酸化剤である過マンガン酸塩の排水基準が非常に厳しいため、CMP……
【応用編】SiCウエハ加工の最終工程「CMP技術」とは？現在の技術から将来性まで徹底解説
2025.04.10
今回は、SiCウエハ加工の最終工程となる「CMP（Chemical-Mechanical Polishing）技術」について解説いたします。 SiC半導体の基板加工の基礎に関しては「SiC半導体とは？基板加工技術について分かりやすく徹底解説」の記事で解説していますので、そちらもご参照ください……
【応用編】切断後のSiCウエハの平坦化プロセスとは？研削・研磨技術について徹底解説
2025.02.13
今回は、SiC半導体の基板加工の工程における「SiCウエハの研削・研磨技術」について詳しく解説します。 以下の流れで見ていきます。 SiCウエハの研削・研磨技術の概要 ロータリー研削 メカニカル研磨 各種の援用研磨 各工程について詳しく解説していくので、是非……
【応用編】インゴット切断とは？SiC半導体の基板加工について解説
2024.12.27
今回は、SiC半導体の基板加工技術の応用編を徹底解説いたします。 SiC半導体の基板加工の基礎に関しては「SiC半導体とは？基板加工技術について分かりやすく徹底解説」の記事で解説していますので、そちらもご参照ください。 最近注目を集めている、インゴッド切断技術の種類と特徴について詳しく……
SiC半導体とは？基板加工技術について分かりやすく徹底解説
2024.10.24
今回は、SiC半導体の基板加工技術について解説いたします。 SiC半導体（シリコンカーバイド半導体）とは、シリコン（Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体材料のことを表しています。SiC半導体の基板加工は応用編になりますので、加工の基礎編については「研磨加工とは？基本的な定義と種類・方法……
GaNの基本と研磨メカニズム、一般研磨との違いを徹底解説！
2024.10.02
今回は半導体材料であるGaNに着目して解説していきます。 GaNとは何か、という基本の部分から、GaNを研磨する原理やメカニズム、そして一般研磨との違いなど、株式会社斉藤光学製作所の技術者Dさんに詳しくお話を伺いました。 GaNを詳しく勉強したい方はぜひ読んでみてください。 技術者：Dさん株……